Toshiba Semiconductor and Storage - TK17A80W,S4X

KEY Part #: K6398926

TK17A80W,S4X Τιμολόγηση (USD) [24228τεμ]

  • 1 pcs$1.87297
  • 50 pcs$1.50525
  • 100 pcs$1.37141
  • 500 pcs$1.05356
  • 1,000 pcs$0.88855

Αριθμός εξαρτήματος:
TK17A80W,S4X
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W,S4X. Το TK17A80W,S4X μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TK17A80W,S4X, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK17A80W,S4X Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : TK17A80W,S4X
Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Σειρά : DTMOSIV
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 17A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 850µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2050pF @ 300V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 45W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220SIS
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3 Full Pack

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • SPA15N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 15A TO-220.