Αριθμός εξαρτήματος :
SUP70030E-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CHAN 100 V TO-220
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
150A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.18 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
214nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
10870pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
375W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-220AB