Αριθμός εξαρτήματος :
BSC057N08NS3GATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
80V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
16A (Ta), 100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 73µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
56nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3900pF @ 40V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.5W (Ta), 114W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TDSON-8
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN