Infineon Technologies - IPD50R380CEBTMA1

KEY Part #: K6400856

[3253τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPD50R380CEBTMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPD50R380CEBTMA1. Το IPD50R380CEBTMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPD50R380CEBTMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD50R380CEBTMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPD50R380CEBTMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
    Σειρά : CoolMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 9.9A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 13V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 13V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 260µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 24.8nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 584pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : Super Junction
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 73W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO252-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • IPB04N03LAT

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • SPB02N60S5ATMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.