Αριθμός εξαρτήματος :
S8CJ-M3/I
Κατασκευαστής :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
8A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
985mV @ 8A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
4µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
10µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
79pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AB, SMC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AB (SMC)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C