Infineon Technologies - IPB180N04S401ATMA1

KEY Part #: K6402090

IPB180N04S401ATMA1 Τιμολόγηση (USD) [68107τεμ]

  • 1 pcs$0.57411
  • 1,000 pcs$0.52669

Αριθμός εξαρτήματος:
IPB180N04S401ATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB180N04S401ATMA1. Το IPB180N04S401ATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB180N04S401ATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB180N04S401ATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPB180N04S401ATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 176nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 188W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-7-3
Πακέτο / Θήκη : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.