Αριθμός εξαρτήματος :
TK35E08N1,S1X
Κατασκευαστής :
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
80V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
25nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1700pF @ 40V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
72W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-220