Αριθμός εξαρτήματος :
DMG10N60SCT
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Σειρά :
Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
35nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1587pF @ 16V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
178W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-220AB