Αριθμός εξαρτήματος :
SI6463BDQ-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
6.2A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
60nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.05W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-TSSOP
Πακέτο / Θήκη :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)