Diodes Incorporated - DMN2036UCB4-7

KEY Part #: K6523108

DMN2036UCB4-7 Τιμολόγηση (USD) [408426τεμ]

  • 1 pcs$0.09056

Αριθμός εξαρτήματος:
DMN2036UCB4-7
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated DMN2036UCB4-7. Το DMN2036UCB4-7 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DMN2036UCB4-7, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2036UCB4-7 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DMN2036UCB4-7
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : -
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 12.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
Ισχύς - Μέγ : 1.45W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 4-XFBGA, WLBGA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : X2-WLB1616-4

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7949DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.