Infineon Technologies - IPW60R190E6FKSA1

KEY Part #: K6398973

IPW60R190E6FKSA1 Τιμολόγηση (USD) [22533τεμ]

  • 1 pcs$1.82891

Αριθμός εξαρτήματος:
IPW60R190E6FKSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Μονάδες οδηγού ισχύος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPW60R190E6FKSA1. Το IPW60R190E6FKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPW60R190E6FKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R190E6FKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPW60R190E6FKSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Σειρά : CoolMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20.2A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 630µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 151W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO247-3
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • TK4R3A06PL,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.