Αριθμός εξαρτήματος :
IPD50N04S410ATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 15µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
18.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1430pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
41W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO252-3-313
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63