Toshiba Semiconductor and Storage - DSF05S30U(TPH3,F)

KEY Part #: K6446972

[1583τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    DSF05S30U(TPH3,F)
    Κατασκευαστής:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage DSF05S30U(TPH3,F). Το DSF05S30U(TPH3,F) μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DSF05S30U(TPH3,F), παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DSF05S30U(TPH3,F) Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : DSF05S30U(TPH3,F)
    Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
    Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Schottky
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 30V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 500mA
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 450mV @ 500mA
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : -
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : SC-76, SOD-323
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : USC
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : 125°C (Max)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • RHRD660S9A_NL

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

    • DGS13-025CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

    • MMBD1501A_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1201_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

    • GPP60G-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.