Αριθμός εξαρτήματος :
TH58NYG2S3HBAI4
Κατασκευαστής :
Toshiba Memory America, Inc.
Περιγραφή :
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος μνήμης :
Non-Volatile
Τεχνολογία :
FLASH - NAND (SLC)
Μέγεθος μνήμης :
4Gb (512M x 8)
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page :
25ns
Διασύνδεση μνήμης :
Parallel
Τάση - Προμήθεια :
1.7V ~ 1.95V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 85°C (TA)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
63-BGA (9x11)