Αριθμός εξαρτήματος :
SI3812DV-T1-E3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
600mV @ 250µA (Min)
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET χαρακτηριστικό :
Schottky Diode (Isolated)
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
830mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
6-TSOP
Πακέτο / Θήκη :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6