Αριθμός εξαρτήματος :
RS1E200BNTB
Κατασκευαστής :
Rohm Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
59nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3100pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3W (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-HSOP
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN