Αριθμός εξαρτήματος :
SI5858DU-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
16nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό :
Schottky Diode (Isolated)
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® ChipFet Dual
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® ChipFET™ Dual